IXFQ30N60X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFQ30N60X

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1610 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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IXFQ30N60X datasheet

 ..1. Size:185K  ixys
 ixfh30n60x ixfq30n60x ixft30n60x.pdf pdf_icon

IXFQ30N60X

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT30N60X Power MOSFET ID25 = 30A IXFQ30N60X RDS(on) 155m IXFH30N60X TO-268 (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150

 9.1. Size:129K  ixys
 ixfh34n50p3 ixfq34n50p3.pdf pdf_icon

IXFQ30N60X

Preliminary Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFQ34N50P3 ID25 = 34A Power MOSFETs IXFH34N50P3 RDS(on) 170m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-3P (IXFQ) G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V TO-247

Otros transistores... IXFR27N80Q, IXFR24N100Q3, IXFR12N100F, IXFR10N100F, IXFQ94N30P3, IXFQ60N60X, IXFQ50N60X, IXFQ34N50P3, IRF840, IXFQ26N50P3, IXFQ24N60X, IXFQ20N50P3, IXFP8N50P3, IXFP7N60P3, IXFP5N50P3, IXFP5N100PM, IXFP4N60P3