IXFQ30N60X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFQ30N60X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для IXFQ30N60X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ30N60X даташит

 ..1. Size:185K  ixys
 ixfh30n60x ixfq30n60x ixft30n60x.pdf pdf_icon

IXFQ30N60X

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT30N60X Power MOSFET ID25 = 30A IXFQ30N60X RDS(on) 155m IXFH30N60X TO-268 (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150

 9.1. Size:129K  ixys
 ixfh34n50p3 ixfq34n50p3.pdf pdf_icon

IXFQ30N60X

Preliminary Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFQ34N50P3 ID25 = 34A Power MOSFETs IXFH34N50P3 RDS(on) 170m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-3P (IXFQ) G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V TO-247

Другие IGBT... IXFR27N80Q, IXFR24N100Q3, IXFR12N100F, IXFR10N100F, IXFQ94N30P3, IXFQ60N60X, IXFQ50N60X, IXFQ34N50P3, IRF840, IXFQ26N50P3, IXFQ24N60X, IXFQ20N50P3, IXFP8N50P3, IXFP7N60P3, IXFP5N50P3, IXFP5N100PM, IXFP4N60P3