IXFP36N30P3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP36N30P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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IXFP36N30P3 datasheet

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IXFP36N30P3

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IXFP36N30P3

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200V IXFP36N20X3M Power MOSFET ID25 = 36A RDS(on) 45m (Electrically Isolated Tab) OVERMOLDED TO-220 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G Isolated Tab D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V G = Gate D =

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IXFP36N30P3

VDSS = 200V X3-Class HiPERFETTM IXFY36N20X3 ID25 = 36A Power MOSFET IXFA36N20X3 RDS(on) 45m IXFP36N20X3 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXFY) G S D (Tab) TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V G S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V D (Tab) VGSS Continuous 20 V TO-220

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IXFP36N30P3

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFP36N20X3M FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

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