IXFP36N30P3 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFP36N30P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFP36N30P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IXFP36N30P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP36N30P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  ixys
 ixfa36n30p3 ixfp36n30p3.pdf pdf_icon

IXFP36N30P3

Preliminary Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA36N30P3Power MOSFET ID25 = 36AIXFP36N30P3 RDS(on) 110m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150

 7.1. Size:184K  ixys
 ixfp36n20x3m.pdf pdf_icon

IXFP36N30P3

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP36N20X3MPower MOSFET ID25 = 36A RDS(on) 45m (Electrically Isolated Tab)OVERMOLDEDTO-220N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGIsolated TabDVDSS TJ = 25C to 150C 200 V SVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VG = Gate D =

 7.2. Size:310K  ixys
 ixfy36n20x3 ixfa36n20x3 ixfp36n20x3.pdf pdf_icon

IXFP36N30P3

VDSS = 200VX3-Class HiPERFETTM IXFY36N20X3ID25 = 36APower MOSFETIXFA36N20X3 RDS(on) 45m IXFP36N20X3N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VD (Tab)VGSS Continuous 20 VTO-220

 7.3. Size:254K  inchange semiconductor
 ixfp36n20x3m.pdf pdf_icon

IXFP36N30P3

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFP36N20X3MFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFQ26N50P3 , IXFQ24N60X , IXFQ20N50P3 , IXFP8N50P3 , IXFP7N60P3 , IXFP5N50P3 , IXFP5N100PM , IXFP4N60P3 , IRFB4110 , IXFP30N60X , IXFP26N50P3 , IXFP24N60X , IXFP22N65X2 , IXFP20N50P3M , IXFP20N50P3 , IXFP18N60X , IXFP16N60P3 .

History: STP7NK40ZFP

 

 
Back to Top

 


 
.