IRFP332 Todos los transistores

 

IRFP332 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP332
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFP332 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:296K  international rectifier
 irfp3306pbf.pdf pdf_icon

IRFP332

PD - 97128IRFP3306PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.3.3m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingmax. 4.2m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)160A cID (Package Limited)120A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtR

 8.2. Size:329K  samsung
 irfp330-333 irf730-733.pdf pdf_icon

IRFP332

 8.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irfp3306.pdf pdf_icon

IRFP332

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306IIRFP3306FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)4.2mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switc

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History: IRFP242 | IRFP341 | IRFP340 | FQU3N50C | FQT5P10 | FQU4N50TUWS

 

 
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