Справочник MOSFET. IRFP332

 

IRFP332 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP332
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IRFP332

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP332 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:296K  international rectifier
 irfp3306pbf.pdf pdf_icon

IRFP332

PD - 97128IRFP3306PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.3.3m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingmax. 4.2m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)160A cID (Package Limited)120A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtR

 8.2. Size:329K  samsung
 irfp330-333 irf730-733.pdf pdf_icon

IRFP332

 8.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irfp3306.pdf pdf_icon

IRFP332

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3306IIRFP3306FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)4.2mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP253 , IRFP254 , IRFP254A , IRFP255 , IRFP260 , IRFP264 , IRFP330 , IRFP331 , IRF9540 , IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 .

 

 
Back to Top

 


 
.