IXFL132N50P3 Todos los transistores

 

IXFL132N50P3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFL132N50P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS264
 

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IXFL132N50P3 datasheet

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IXFL132N50P3

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFL132N50P3 Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS264 Fast Intrinsic Rectifier Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 15

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IXFL132N50P3

IXFL 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 70 A Power MOSFET RDS(on) 52 m ISOPLUS264TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode ISOPLUS264 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 1

Otros transistores... IXFP14N60P3 , IXFN94N50P2 , IXFN55N50F , IXFN40N110Q3 , IXFN260N17T , IXFN210N30P3 , IXFN200N06 , IXFL210N30P3 , 2SK3878 , IXFK90N60X , IXFK32N90P , IXFK30N50Q , IXFK260N17T , IXFK24N100Q3 , IXFK210N17T , IXFK150N30P3 , IXFK120N65X2 .

 

 

 


 
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