Справочник MOSFET. IXFL132N50P3

 

IXFL132N50P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFL132N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 250 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFL132N50P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL132N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  ixys
 ixfl132n50p3.pdf pdf_icon

IXFL132N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFL132N50P3Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS264Fast Intrinsic RectifierSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 15

 9.1. Size:205K  ixys
 ixfl100n50p.pdf pdf_icon

IXFL132N50P3

IXFL 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 70 APower MOSFET RDS(on) 52 m ISOPLUS264TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS264Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 1

Другие MOSFET... IXFP14N60P3 , IXFN94N50P2 , IXFN55N50F , IXFN40N110Q3 , IXFN260N17T , IXFN210N30P3 , IXFN200N06 , IXFL210N30P3 , IRFP260 , IXFK90N60X , IXFK32N90P , IXFK30N50Q , IXFK260N17T , IXFK24N100Q3 , IXFK210N17T , IXFK150N30P3 , IXFK120N65X2 .

History: IRF1310NPBF

 

 
Back to Top

 


 
.