Справочник MOSFET. IXFL132N50P3

 

IXFL132N50P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFL132N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 63 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 250 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 1750 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.043 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264

 Аналог (замена) для IXFL132N50P3

 

 

IXFL132N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  ixys
 ixfl132n50p3.pdf

IXFL132N50P3 IXFL132N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFL132N50P3Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS264Fast Intrinsic RectifierSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VGVDGR TJ = 25C to 15

 9.1. Size:205K  ixys
 ixfl100n50p.pdf

IXFL132N50P3 IXFL132N50P3

IXFL 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 70 APower MOSFET RDS(on) 52 m ISOPLUS264TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS264Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 1

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top