IXFI7N80P Todos los transistores

 

IXFI7N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFI7N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IXFI7N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  ixys
 ixfi7n80p.pdf pdf_icon

IXFI7N80P

IXFA 7N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFI 7N80P ID25 = 7 APower MOSFET IXFP 7N80P RDS(on) 1.44 N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 800 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 800 VS(TAB)V

Otros transistores... IXFK260N17T , IXFK24N100Q3 , IXFK210N17T , IXFK150N30P3 , IXFK120N65X2 , IXFK120N30P3 , IXFK100N65X2 , IXFJ26N50P3 , IRFB3607 , IXFH94N30T , IXFH94N30P3 , IXFH80N65X2 , IXFH7N100P , IXFH76N15T2 , IXFH70N30Q3 , IXFH60N65X2 , IXFH60N60X .

 

 
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