IXFI7N80P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFI7N80P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.44 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IXFI7N80P datasheet

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IXFI7N80P

IXFA 7N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFI 7N80P ID25 = 7 A Power MOSFET IXFP 7N80P RDS(on) 1.44 N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 800 V G VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 800 V S (TAB) V

Otros transistores... IXFK260N17T, IXFK24N100Q3, IXFK210N17T, IXFK150N30P3, IXFK120N65X2, IXFK120N30P3, IXFK100N65X2, IXFJ26N50P3, P55NF06, IXFH94N30T, IXFH94N30P3, IXFH80N65X2, IXFH7N100P, IXFH76N15T2, IXFH70N30Q3, IXFH60N65X2, IXFH60N60X