IXFI7N80P - описание и поиск аналогов

 

IXFI7N80P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFI7N80P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.44 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IXFI7N80P

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFI7N80P даташит

 ..1. Size:139K  ixys
 ixfi7n80p.pdf pdf_icon

IXFI7N80P

IXFA 7N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFI 7N80P ID25 = 7 A Power MOSFET IXFP 7N80P RDS(on) 1.44 N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 800 V G VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 800 V S (TAB) V

Другие MOSFET... IXFK260N17T , IXFK24N100Q3 , IXFK210N17T , IXFK150N30P3 , IXFK120N65X2 , IXFK120N30P3 , IXFK100N65X2 , IXFJ26N50P3 , K4145 , IXFH94N30T , IXFH94N30P3 , IXFH80N65X2 , IXFH7N100P , IXFH76N15T2 , IXFH70N30Q3 , IXFH60N65X2 , IXFH60N60X .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.