IXFI7N80P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFI7N80P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 133 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.44 Ohm
Тип корпуса: TO-263
IXFI7N80P Datasheet (PDF)
..1. Size:139K ixys
ixfi7n80p.pdf
ixfi7n80p.pdf
IXFA 7N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFI 7N80P ID25 = 7 APower MOSFET IXFP 7N80P RDS(on) 1.44 N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 800 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 800 VS(TAB)V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: STU13N60M2
