Справочник MOSFET. IXFI7N80P

 

IXFI7N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFI7N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.44 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFI7N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  ixys
 ixfi7n80p.pdf pdf_icon

IXFI7N80P

IXFA 7N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFI 7N80P ID25 = 7 APower MOSFET IXFP 7N80P RDS(on) 1.44 N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 800 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 800 VS(TAB)V

Другие MOSFET... IXFK260N17T , IXFK24N100Q3 , IXFK210N17T , IXFK150N30P3 , IXFK120N65X2 , IXFK120N30P3 , IXFK100N65X2 , IXFJ26N50P3 , RFP50N06 , IXFH94N30T , IXFH94N30P3 , IXFH80N65X2 , IXFH7N100P , IXFH76N15T2 , IXFH70N30Q3 , IXFH60N65X2 , IXFH60N60X .

History: DMN3052LSS | FHF630A | 2SJ479S

 

 
Back to Top

 


 
.