Справочник MOSFET. IXFI7N80P

 

IXFI7N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFI7N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.44 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IXFI7N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFI7N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  ixys
 ixfi7n80p.pdf pdf_icon

IXFI7N80P

IXFA 7N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFI 7N80P ID25 = 7 APower MOSFET IXFP 7N80P RDS(on) 1.44 N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 800 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 800 VS(TAB)V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.