IRFP341 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP341

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 350 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 42 nC

Tiempo de subida (tr): 27 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 178 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.55 Ohm

Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFP341

IRFP341 Datasheet (PDF)

..1. Size:191K samsung
irfp340 irfp341 irfp342 irfp343 irf740 irf741 irf742 irf743.pdf

0.1. Size:92K international rectifier
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PD - 93962IRFP3415HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 150V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.042 Fully Avalanche RatedGDescription ID = 43ASFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance persilicon a

0.2. Size:161K international rectifier
irfp3415pbf.pdf

PD - 95512IRFP3415PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 150Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.042Gl Lead-FreeID = 43ASDescriptionFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resi

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isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3415IIRFP3415FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)42mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingFully Avalanche RatedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

0.5. Size:62K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP341R FEATURES Drain Current ID= 11A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 350V(Min) Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.55(Max) Fast Switching DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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