IRFP341
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFP341
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 10
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 42
nC
trⓘ -
Время нарастания: 27
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 178
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55
Ohm
Тип корпуса:
TO3P
Аналог (замена) для IRFP341
IRFP341
Datasheet (PDF)
0.1. Size:161K international rectifier
irfp3415pbf.pdf 
PD - 95512IRFP3415PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 150Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.042Gl Lead-FreeID = 43ASDescriptionFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resi
0.2. Size:92K international rectifier
irfp3415.pdf 
PD - 93962IRFP3415HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 150V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.042 Fully Avalanche RatedGDescription ID = 43ASFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance persilicon a
0.3. Size:161K infineon
irfp3415pbf.pdf 
PD - 95512IRFP3415PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 150Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.042Gl Lead-FreeID = 43ASDescriptionFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resi
0.4. Size:62K inchange semiconductor
irfp341r.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP341R FEATURES Drain Current ID= 11A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 350V(Min) Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.55(Max) Fast Switching DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT
0.5. Size:241K inchange semiconductor
irfp3415.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3415IIRFP3415FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)42mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingFully Avalanche RatedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
Другие MOSFET... IRFP260
, IRFP264
, IRFP330
, IRFP331
, IRFP332
, IRFP333
, IRFP340
, IRFP340A
, AON7408
, IRFP342
, IRFP343
, IRFP344
, IRFP350
, IRFP350A
, IRFP350FI
, IRFP350LC
, IRFP351
.
