IXFH16N60P3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFH16N60P3 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
Encapsulados: TO-247
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IXFH16N60P3 datasheet
ixfa16n60p3 ixfh16n60p3 ixfp16n60p3.pdf
Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA16N60P3 Power MOSFETs ID25 = 16A IXFP16N60P3 RDS(on) 440m IXFH16N60P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15
ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf
IXFA 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 16N50P ID25 = 16 A Power MOSFET IXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V
ixfh16n90 ixfx16n90.pdf
IXFH16N90 VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFX16N90 ID25 = 16 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.65 W N-Channel Enhancement Mode t 200 ns High dv/dt, Low t , HDMOSTM Family rr rr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 900 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2
ixfa16n50p3 ixfh16n50p3 ixfp16n50p3.pdf
Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFA16N50P3 Power MOSFETs ID25 = 16A IXFP16N50P3 RDS(on) 360m IXFH16N50P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 15
Otros transistores... IXFH30N60X, IXFH30N50Q, IXFH26N50P3, IXFH24N60X, IXFH22N65X2, IXFH20N50P3, IXFH18N60X, IXFH18N100Q3, 18N50, IXFH16N50P3, IXFH150N20T, IXFH14N60P3, IXFH120N25T, IXFH10N100Q, IXFD80N10, IXFC80N10, IXFC80N08
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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