Справочник MOSFET. IXFH16N60P3

 

IXFH16N60P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFH16N60P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для IXFH16N60P3

 

 

IXFH16N60P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixfa16n60p3 ixfh16n60p3 ixfp16n60p3.pdf

IXFH16N60P3 IXFH16N60P3

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA16N60P3Power MOSFETs ID25 = 16AIXFP16N60P3 RDS(on) 440m IXFH16N60P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 15

 7.1. Size:252K  ixys
 ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf

IXFH16N60P3 IXFH16N60P3

IXFA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFH 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

 7.2. Size:112K  ixys
 ixfh16n90 ixfx16n90.pdf

IXFH16N60P3 IXFH16N60P3

IXFH16N90 VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFX16N90 ID25 = 16 APower MOSFETsRDS(on) = 0.65 WN-Channel Enhancement Modet 200 nsHigh dv/dt, Low t , HDMOSTM FamilyrrrrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 2

 7.3. Size:173K  ixys
 ixfa16n50p3 ixfh16n50p3 ixfp16n50p3.pdf

IXFH16N60P3 IXFH16N60P3

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFA16N50P3Power MOSFETs ID25 = 16AIXFP16N50P3 RDS(on) 360m IXFH16N50P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 15

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top