IXFH16N60P3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFH16N60P3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFH16N60P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH16N60P3 даташит

 ..1. Size:166K  ixys
 ixfa16n60p3 ixfh16n60p3 ixfp16n60p3.pdf pdf_icon

IXFH16N60P3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA16N60P3 Power MOSFETs ID25 = 16A IXFP16N60P3 RDS(on) 440m IXFH16N60P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15

 7.1. Size:252K  ixys
 ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf pdf_icon

IXFH16N60P3

IXFA 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 16N50P ID25 = 16 A Power MOSFET IXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

 7.2. Size:112K  ixys
 ixfh16n90 ixfx16n90.pdf pdf_icon

IXFH16N60P3

IXFH16N90 VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFX16N90 ID25 = 16 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.65 W N-Channel Enhancement Mode t 200 ns High dv/dt, Low t , HDMOSTM Family rr rr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 900 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2

 7.3. Size:173K  ixys
 ixfa16n50p3 ixfh16n50p3 ixfp16n50p3.pdf pdf_icon

IXFH16N60P3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFA16N50P3 Power MOSFETs ID25 = 16A IXFP16N50P3 RDS(on) 360m IXFH16N50P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 15

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFH30N60X, IXFH30N50Q, IXFH26N50P3, IXFH24N60X, IXFH22N65X2, IXFH20N50P3, IXFH18N60X, IXFH18N100Q3, RFP50N06, IXFH16N50P3, IXFH150N20T, IXFH14N60P3, IXFH120N25T, IXFH10N100Q, IXFD80N10, IXFC80N10, IXFC80N08