IXFD80N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFD80N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 500 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1675 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-258

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFD80N10

IXFD80N10 Datasheet (PDF)

1.1. ixfd80n10.pdf Size:60K _ixys

SENSITRON SHD224514 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1172, REV. A HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES: œ 100 Volt, 80A, 15 mili Ohm œ Isolated Hermetic Metal Package œ Fast intrinsic Rectifier œ Very Low RDS (on) œ Low package inductance-easy to drive and protect œ Similar Part Type - IXFD80N10 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT T = 25 C UNLESS OTHERWISE SPEC

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: