IXFD80N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFD80N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1675 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-258
Búsqueda de reemplazo de IXFD80N10 MOSFET
IXFD80N10 Datasheet (PDF)
ixfd80n10.pdf

SENSITRON SHD224514SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 1172, REV. AHERMETIC POWER MOSFETN-CHANNELFEATURES: 100 Volt, 80A, 15 mili Ohm Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Very Low RDS (on) Low package inductance-easy to drive and protect Similar Part Type - IXFD80N10 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT T = 25 C UNLESS OTHERWISE SPEC
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History: JFPC13N60CI | JFFM18N50C | SFP070N90C3
History: JFPC13N60CI | JFFM18N50C | SFP070N90C3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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