IXFD80N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFD80N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 500 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 80 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Tiempo de elevación (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1675 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-258
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFD80N10
IXFD80N10 Datasheet (PDF)
1.1. ixfd80n10.pdf 
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SENSITRON SHD224514 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1172, REV. A HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES: œ 100 Volt, 80A, 15 mili Ohm œ Isolated Hermetic Metal Package œ Fast intrinsic Rectifier œ Very Low RDS (on) œ Low package inductance-easy to drive and protect œ Similar Part Type - IXFD80N10 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT T = 25 C UNLESS OTHERWISE SPEC
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