IXFD80N10 Todos los transistores

 

IXFD80N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFD80N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 500 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1675 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-258

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFD80N10

 

IXFD80N10 Datasheet (PDF)

1.1. ixfd80n10.pdf Size:60K _ixys

IXFD80N10
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SENSITRON SHD224514 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1172, REV. A HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES: œ 100 Volt, 80A, 15 mili Ohm œ Isolated Hermetic Metal Package œ Fast intrinsic Rectifier œ Very Low RDS (on) œ Low package inductance-easy to drive and protect œ Similar Part Type - IXFD80N10 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT T = 25 C UNLESS OTHERWISE SPEC

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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