IXFD80N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFD80N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1675 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO-258

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IXFD80N10 datasheet

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IXFD80N10

SENSITRON SHD224514 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1172, REV. A HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 100 Volt, 80A, 15 mili Ohm Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Very Low RDS (on) Low package inductance-easy to drive and protect Similar Part Type - IXFD80N10 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT T = 25 C UNLESS OTHERWISE SPEC

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