Справочник MOSFET. IXFD80N10

 

IXFD80N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFD80N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1675 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-258
 

 Аналог (замена) для IXFD80N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFD80N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  ixys
 ixfd80n10.pdf pdf_icon

IXFD80N10

SENSITRON SHD224514SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 1172, REV. AHERMETIC POWER MOSFETN-CHANNELFEATURES: 100 Volt, 80A, 15 mili Ohm Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Very Low RDS (on) Low package inductance-easy to drive and protect Similar Part Type - IXFD80N10 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT T = 25 C UNLESS OTHERWISE SPEC

Другие MOSFET... IXFH18N60X , IXFH18N100Q3 , IXFH16N60P3 , IXFH16N50P3 , IXFH150N20T , IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IRFB31N20D , IXFC80N10 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 .

 

 
Back to Top

 


 
.