IXFD80N10 - описание и поиск аналогов

 

IXFD80N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFD80N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1675 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-258

Аналог (замена) для IXFD80N10

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFD80N10 даташит

 ..1. Size:60K  ixys
 ixfd80n10.pdf pdf_icon

IXFD80N10

SENSITRON SHD224514 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 1172, REV. A HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 100 Volt, 80A, 15 mili Ohm Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Very Low RDS (on) Low package inductance-easy to drive and protect Similar Part Type - IXFD80N10 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT T = 25 C UNLESS OTHERWISE SPEC

Другие MOSFET... IXFH18N60X , IXFH18N100Q3 , IXFH16N60P3 , IXFH16N50P3 , IXFH150N20T , IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IRF2807 , IXFC80N10 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.