IXFC80N10 Todos los transistores

 

IXFC80N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFC80N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1675 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-220
 

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IXFC80N10 Datasheet (PDF)

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IXFC80N10

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONHiPerFETTM MOSFET IXFC 80N10 VDSS = 100 VISOPLUS220TM ID25 = 80 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on) = 12.5 m trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low t , HDMOSTM FamilyrrSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 220TMVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C;

 7.1. Size:525K  ixys
 ixfc80n08.pdf pdf_icon

IXFC80N10

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONVDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM MOSFETIXFC 80N08 80 V 80 A 11 mISOPLUS220TM85 V 80 A 11 mIXFC 80N085Electrically Isolated Back SurfaceN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TMVDSS TJ = 25C to 150C 80N08 80 VVDGR TJ = 25C to

Otros transistores... IXFH18N100Q3 , IXFH16N60P3 , IXFH16N50P3 , IXFH150N20T , IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IXFD80N10 , IRF2807 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 .

History: IXFD80N10

 

 
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