Справочник MOSFET. IXFC80N10

 

IXFC80N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFC80N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1675 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS-220
 

 Аналог (замена) для IXFC80N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFC80N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  ixys
 ixfc80n10.pdf pdf_icon

IXFC80N10

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONHiPerFETTM MOSFET IXFC 80N10 VDSS = 100 VISOPLUS220TM ID25 = 80 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on) = 12.5 m trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low t , HDMOSTM FamilyrrSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 220TMVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C;

 7.1. Size:525K  ixys
 ixfc80n08.pdf pdf_icon

IXFC80N10

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONVDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM MOSFETIXFC 80N08 80 V 80 A 11 mISOPLUS220TM85 V 80 A 11 mIXFC 80N085Electrically Isolated Back SurfaceN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TMVDSS TJ = 25C to 150C 80N08 80 VVDGR TJ = 25C to

Другие MOSFET... IXFH18N100Q3 , IXFH16N60P3 , IXFH16N50P3 , IXFH150N20T , IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IXFD80N10 , IRF2807 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 .

 

 
Back to Top

 


 
.