IXFC80N10 - описание и поиск аналогов

 

IXFC80N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFC80N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1675 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS-220

Аналог (замена) для IXFC80N10

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFC80N10 даташит

 ..1. Size:69K  ixys
 ixfc80n10.pdf pdf_icon

IXFC80N10

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION HiPerFETTM MOSFET IXFC 80N10 VDSS = 100 V ISOPLUS220TM ID25 = 80 A Electrically Isolated Back Surface RDS(on) = 12.5 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low t , HDMOSTM Family rr Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C;

 7.1. Size:525K  ixys
 ixfc80n08.pdf pdf_icon

IXFC80N10

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM MOSFET IXFC 80N08 80 V 80 A 11 m ISOPLUS220TM 85 V 80 A 11 m IXFC 80N085 Electrically Isolated Back Surface N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 80N08 80 V VDGR TJ = 25 C to

Другие MOSFET... IXFH18N100Q3 , IXFH16N60P3 , IXFH16N50P3 , IXFH150N20T , IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IXFD80N10 , STF13NM60N , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 .

History: IXFH120N25T

 

 

 


 
↑ Back to Top
.