IXFB40N110Q3 Todos los transistores

 

IXFB40N110Q3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFB40N110Q3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1560 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 984 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264
 

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IXFB40N110Q3 datasheet

 ..1. Size:137K  ixys
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IXFB40N110Q3

Preliminary Technical Information HiperFETTM VDSS = 1100V IXFB40N110Q3 Power MOSFET ID25 = 40A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1100 V D S VGSS Continuous 30 V Tab VGS

Otros transistores... IXFH16N50P3 , IXFH150N20T , IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IXFD80N10 , IXFC80N10 , IXFC80N08 , 2N60 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X .

History: IXFC80N10

 

 

 


 
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