IXFB40N110Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFB40N110Q3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1560 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 300 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 984 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros