IXFB40N110Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFB40N110Q3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1560 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 984 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264

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IXFB40N110Q3 Datasheet (PDF)

..1. Size:137K ixys
ixfb40n110q3.pdf

Preliminary Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1100VIXFB40N110Q3Power MOSFET ID25 = 40A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 VDSVGSS Continuous 30 VTabVGS

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TSM4513DCS

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: