IXFB40N110Q3 - описание и поиск аналогов

 

IXFB40N110Q3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB40N110Q3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1560 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 984 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB40N110Q3

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB40N110Q3 даташит

 ..1. Size:137K  ixys
 ixfb40n110q3.pdf pdf_icon

IXFB40N110Q3

Preliminary Technical Information HiperFETTM VDSS = 1100V IXFB40N110Q3 Power MOSFET ID25 = 40A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1100 V D S VGSS Continuous 30 V Tab VGS

Другие MOSFET... IXFH16N50P3 , IXFH150N20T , IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IXFD80N10 , IXFC80N10 , IXFC80N08 , 2N60 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.