IXFB210N30P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB210N30P3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1890 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 210 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V
Carga de compuerta (Qg): 268 nC
Tiempo de elevación (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2550 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0145 Ohm
Empaquetado / Estuche: PLUS264
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB210N30P3
IXFB210N30P3 Datasheet (PDF)
1.1. ixfb210n30p3.pdf 
Size:140K _ixys
Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFB210N30P3 Power MOSFET ID25 = 210A ≤ Ω RDS(on) ≤ 14.5mΩ ≤ Ω ≤ Ω ≤ Ω ≤ trr ≤ 250ns ≤ ≤ ≤ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 300 V G VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 300 V D
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
