IXFB210N30P3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB210N30P3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1890 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm

Encapsulados: PLUS264

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IXFB210N30P3 datasheet

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IXFB210N30P3

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFB210N30P3 Power MOSFET ID25 = 210A RDS(on) 14.5m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300 V D

Otros transistores... IXFH150N20T, IXFH14N60P3, IXFH120N25T, IXFH10N100Q, IXFD80N10, IXFC80N10, IXFC80N08, IXFB40N110Q3, 8N60, IXFB150N65X2, IXFA8N50P3, IXFA7N60P3, IXFA5N50P3, IXFA4N60P3, IXFA36N30P3, IXFA30N60X, IXFA26N50P3