IXFB210N30P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB210N30P3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1890 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS264
Búsqueda de reemplazo de IXFB210N30P3 MOSFET
IXFB210N30P3 Datasheet (PDF)
ixfb210n30p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFB210N30P3Power MOSFET ID25 = 210A RDS(on) 14.5m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VD
Otros transistores... IXFH150N20T , IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IXFD80N10 , IXFC80N10 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , K2611 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X , IXFA26N50P3 .
History: FQD2N60C
History: FQD2N60C



Liste
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