IXFB210N30P3 Todos los transistores

 

IXFB210N30P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB210N30P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1890 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 210 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 268 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2550 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0145 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB210N30P3

 

IXFB210N30P3 Datasheet (PDF)

1.1. ixfb210n30p3.pdf Size:140K _ixys

IXFB210N30P3
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Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFB210N30P3 Power MOSFET ID25 = 210A ≤ Ω RDS(on) ≤ 14.5mΩ ≤ Ω ≤ Ω ≤ Ω ≤ trr ≤ 250ns ≤ ≤ ≤ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 300 V G VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 300 V D

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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