Справочник MOSFET. IXFB210N30P3

 

IXFB210N30P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB210N30P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 268 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFB210N30P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB210N30P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  ixys
 ixfb210n30p3.pdf pdf_icon

IXFB210N30P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFB210N30P3Power MOSFET ID25 = 210A RDS(on) 14.5m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VD

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.