IXFB210N30P3 - описание и поиск аналогов

 

IXFB210N30P3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB210N30P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1890 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2550 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB210N30P3

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB210N30P3 даташит

 ..1. Size:140K  ixys
 ixfb210n30p3.pdf pdf_icon

IXFB210N30P3

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFB210N30P3 Power MOSFET ID25 = 210A RDS(on) 14.5m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300 V D

Другие MOSFET... IXFH150N20T , IXFH14N60P3 , IXFH120N25T , IXFH10N100Q , IXFD80N10 , IXFC80N10 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , 8N60 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IXFA4N60P3 , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X , IXFA26N50P3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.