IXFA4N60P3 Todos los transistores

 

IXFA4N60P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFA4N60P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AA
 

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IXFA4N60P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ixys
 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf pdf_icon

IXFA4N60P3

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFY4N60P3Power MOSFETs ID25 = 4AIXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, RG

 8.1. Size:142K  ixys
 ixfa4n100q-trl.pdf pdf_icon

IXFA4N60P3

HiperFETTM VDSS = 1000VIXFA4N100QPower MOSFETs ID25 = 4AIXFP4N100Q Q-Class RDS(on) 3.0 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-263 AA (IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VTO-220AB (IXFP)VGSS Continuous 20 VVGS

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFM14N80 | FX6KMJ-06 | BRF10N60

 

 
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