IXFA4N60P3 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFA4N60P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFA4N60P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AA
 

 Аналог (замена) для IXFA4N60P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFA4N60P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ixys
 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf pdf_icon

IXFA4N60P3

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFY4N60P3Power MOSFETs ID25 = 4AIXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, RG

 8.1. Size:142K  ixys
 ixfa4n100q-trl.pdf pdf_icon

IXFA4N60P3

HiperFETTM VDSS = 1000VIXFA4N100QPower MOSFETs ID25 = 4AIXFP4N100Q Q-Class RDS(on) 3.0 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-263 AA (IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VTO-220AB (IXFP)VGSS Continuous 20 VVGS

Другие MOSFET... IXFC80N10 , IXFC80N08 , IXFB40N110Q3 , IXFB210N30P3 , IXFB150N65X2 , IXFA8N50P3 , IXFA7N60P3 , IXFA5N50P3 , IRFZ48N , IXFA36N30P3 , IXFA30N60X , IXFA26N50P3 , IXFA24N60X , IXFA22N65X2 , IXFA22N60P3 , IXFA20N50P3 , IXFA18N60X .

History: 2N6796 | STP15N06LFI

 

 
Back to Top

 


 
.