IPT059N15N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPT059N15N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 155 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm

Encapsulados: HSOF-8-1

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IPT059N15N3 datasheet

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IPT059N15N3

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 3 Power-Transistor, 150 V IPT059N15N3 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 3 Power-Transistor, 150 V IPT059N15N3 HSOF 1 Description Features Tab N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 1 175

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