IPT059N15N3 Todos los transistores

 

IPT059N15N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPT059N15N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 155 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOF-8-1
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPT059N15N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1199K  infineon
 ipt059n15n3.pdf pdf_icon

IPT059N15N3

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 150 VIPT059N15N3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 150 VIPT059N15N3HSOF1 DescriptionFeaturesTab N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 175

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: LNH4N60 | VBJ1322 | 2SK1542

 

 
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