Справочник MOSFET. IPT059N15N3

 

IPT059N15N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPT059N15N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8-1
 

 Аналог (замена) для IPT059N15N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT059N15N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1199K  infineon
 ipt059n15n3.pdf pdf_icon

IPT059N15N3

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 150 VIPT059N15N3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 150 VIPT059N15N3HSOF1 DescriptionFeaturesTab N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 175

Другие MOSFET... IPU60R1K4C6 , IPU60R1K0CE , IPU50R950CE , IPU50R3K0CE , IPU50R2K0CE , IPU50R1K4CE , IPU13N03LAG , IPU06N03LAG , IRLZ44N , IPT020N10N3 , IPT015N10N5 , IPT012N08N5 , IPT007N06N , IPT004N03L , IPS65R950C6 , IPS65R1K5CE , IPS65R1K4C6 .

History: TMD2N65AZ | IRFB31N20D

 

 
Back to Top

 


 
.