IPT059N15N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPT059N15N3
Маркировка: 059N15N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
Тип корпуса: HSOF-8-1
Аналог (замена) для IPT059N15N3
IPT059N15N3 Datasheet (PDF)
..1. Size:1199K infineon
ipt059n15n3.pdf
ipt059n15n3.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 150 VIPT059N15N3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 150 VIPT059N15N3HSOF1 DescriptionFeaturesTab N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 175
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
