Справочник MOSFET. IPT059N15N3

 

IPT059N15N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPT059N15N3
   Маркировка: 059N15N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8-1
 

 Аналог (замена) для IPT059N15N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT059N15N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1199K  infineon
 ipt059n15n3.pdf pdf_icon

IPT059N15N3

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 150 VIPT059N15N3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 150 VIPT059N15N3HSOF1 DescriptionFeaturesTab N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 175

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.