IPT059N15N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPT059N15N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: HSOF-8-1

Аналог (замена) для IPT059N15N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT059N15N3 даташит

 ..1. Size:1199K  infineon
 ipt059n15n3.pdf pdf_icon

IPT059N15N3

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 3 Power-Transistor, 150 V IPT059N15N3 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 3 Power-Transistor, 150 V IPT059N15N3 HSOF 1 Description Features Tab N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 1 175

Другие IGBT... IPU60R1K4C6, IPU60R1K0CE, IPU50R950CE, IPU50R3K0CE, IPU50R2K0CE, IPU50R1K4CE, IPU13N03LAG, IPU06N03LAG, AON6380, IPT020N10N3, IPT015N10N5, IPT012N08N5, IPT007N06N, IPT004N03L, IPS65R950C6, IPS65R1K5CE, IPS65R1K4C6