IPT007N06N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPT007N06N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm
Paquete / Cubierta: HSOF-8-1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPT007N06N
IPT007N06N Datasheet (PDF)
ipt007n06n.pdf
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History: IPB65R280E6 | IXTP44N10T
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Liste
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