IPT007N06N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPT007N06N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm

Encapsulados: HSOF-8-1

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IPT007N06N datasheet

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IPT007N06N

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IPT007N06N

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM Power-MOSFET, 30 V IPT004N03L Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM Power-MOSFET, 30 V IPT004N03L HSOF 1 Description Features Tab Optimized for e-fuse and ORing application Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 100% avalanche tested 1 Superior th

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