IPT007N06N Todos los transistores

 

IPT007N06N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPT007N06N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOF-8-1
 

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IPT007N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1194K  infineon
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IPT007N06N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPT007N06NData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPT007N06NHSOF1 DescriptionFeaturesTab 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel1 Qualified according to JEDEC 1) for target applications

 9.1. Size:1208K  infineon
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IPT007N06N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 30 VIPT004N03LData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 30 VIPT004N03LHSOF1 DescriptionFeaturesTab Optimized for e-fuse and ORing application Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested1 Superior th

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History: WMJ36N60C4 | NDS9405 | HM3415E | AUIRL2910S | YJD50N03A

 

 
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