Справочник MOSFET. IPT007N06N

 

IPT007N06N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPT007N06N
   Маркировка: 007N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 216 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8-1
 

 Аналог (замена) для IPT007N06N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT007N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1194K  infineon
 ipt007n06n.pdf pdf_icon

IPT007N06N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPT007N06NData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPT007N06NHSOF1 DescriptionFeaturesTab 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel1 Qualified according to JEDEC 1) for target applications

 9.1. Size:1208K  infineon
 ipt004n03l.pdf pdf_icon

IPT007N06N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 30 VIPT004N03LData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 30 VIPT004N03LHSOF1 DescriptionFeaturesTab Optimized for e-fuse and ORing application Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested1 Superior th

Другие MOSFET... IPU50R2K0CE , IPU50R1K4CE , IPU13N03LAG , IPU06N03LAG , IPT059N15N3 , IPT020N10N3 , IPT015N10N5 , IPT012N08N5 , IRFP250 , IPT004N03L , IPS65R950C6 , IPS65R1K5CE , IPS65R1K4C6 , IPS65R1K0CE , IPS090N03L , IPS075N03L , IPS060N03L .

 

 
Back to Top

 


 
.