IPT007N06N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPT007N06N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm

Тип корпуса: HSOF-8-1

Аналог (замена) для IPT007N06N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT007N06N даташит

 ..1. Size:1194K  infineon
 ipt007n06n.pdf pdf_icon

IPT007N06N

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V IPT007N06N Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V IPT007N06N HSOF 1 Description Features Tab 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel 1 Qualified according to JEDEC 1) for target applications

 9.1. Size:1208K  infineon
 ipt004n03l.pdf pdf_icon

IPT007N06N

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM Power-MOSFET, 30 V IPT004N03L Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM Power-MOSFET, 30 V IPT004N03L HSOF 1 Description Features Tab Optimized for e-fuse and ORing application Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 100% avalanche tested 1 Superior th

Другие IGBT... IPU50R2K0CE, IPU50R1K4CE, IPU13N03LAG, IPU06N03LAG, IPT059N15N3, IPT020N10N3, IPT015N10N5, IPT012N08N5, AON7506, IPT004N03L, IPS65R950C6, IPS65R1K5CE, IPS65R1K4C6, IPS65R1K0CE, IPS090N03L, IPS075N03L, IPS060N03L