IPP410N30N Todos los transistores

 

IPP410N30N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP410N30N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 374 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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IPP410N30N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1804K  infineon
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IPP410N30N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPP410N30NData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPP410N30NTO-220-31 DescriptiontabFeatures N-channel, normal level Fast Diode with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resi

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
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IPP410N30N

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP410N30NIIPP410N30NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 41mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONOptimized for hard commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

Otros transistores... IPP60R125P6 , IPP60R099P6 , IPP60R099C7 , IPP60R074C6 , IPP60R040C7 , IPP50R500CE , IPP50R280CE , IPP50R190CE , IRF740 , IPP25N06S3-25 , IPP220N25NFD , IPP14N03LA , IPP147N03L , IPP120N20NFD , IPP110N20NA , IPP100N06S3L-04 , IPP100N06S3L-03 .

History: KDS2572 | FSF254R

 

 
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