IPP410N30N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP410N30N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 374 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de IPP410N30N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPP410N30N datasheet

 ..1. Size:1804K  infineon
 ipp410n30n.pdf pdf_icon

IPP410N30N

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM Power-Transistor, 300 V IPP410N30N Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM Power-Transistor, 300 V IPP410N30N TO-220-3 1 Description tab Features N-channel, normal level Fast Diode with reduced Q rr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resi

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 ipp410n30n.pdf pdf_icon

IPP410N30N

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP410N30N IIPP410N30N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 41m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Optimized for hard commutation ruggedness ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMET

Otros transistores... IPP60R125P6, IPP60R099P6, IPP60R099C7, IPP60R074C6, IPP60R040C7, IPP50R500CE, IPP50R280CE, IPP50R190CE, IRF740, IPP25N06S3-25, IPP220N25NFD, IPP14N03LA, IPP147N03L, IPP120N20NFD, IPP110N20NA, IPP100N06S3L-04, IPP100N06S3L-03