Справочник MOSFET. IPP410N30N

 

IPP410N30N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP410N30N
   Маркировка: 410N30N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 374 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для IPP410N30N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP410N30N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1804K  infineon
 ipp410n30n.pdf pdf_icon

IPP410N30N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPP410N30NData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPP410N30NTO-220-31 DescriptiontabFeatures N-channel, normal level Fast Diode with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resi

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 ipp410n30n.pdf pdf_icon

IPP410N30N

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP410N30NIIPP410N30NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 41mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONOptimized for hard commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JFFM9N50C | H5N60P

 

 
Back to Top

 


 
.