IPP25N06S3-25 Todos los transistores

 

IPP25N06S3-25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP25N06S3-25
   Código: 3N0625
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 283 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0248 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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IPP25N06S3-25 Datasheet (PDF)

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IPP25N06S3-25

IPB25N06S3-25IPI25N06S3-25, IPP25N06S3-25OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDSR (SMD version) 24.8mDS(on),maxI 25 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanch

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History: NVD5867NL

 

 
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