IPP25N06S3-25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP25N06S3-25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 283 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0248 Ohm
Encapsulados: TO-220
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IPP25N06S3-25 datasheet
ipp25n06s3-25.pdf
IPB25N06S3-25 IPI25N06S3-25, IPP25N06S3-25 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 55 V DS R (SMD version) 24.8 m DS(on),max I 25 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanch
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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