IPP25N06S3-25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPP25N06S3-25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 283 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0248 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPP25N06S3-25
IPP25N06S3-25 Datasheet (PDF)
ipp25n06s3-25.pdf
IPB25N06S3-25IPI25N06S3-25, IPP25N06S3-25OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDSR (SMD version) 24.8mDS(on),maxI 25 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanch
Другие MOSFET... IPP60R099P6 , IPP60R099C7 , IPP60R074C6 , IPP60R040C7 , IPP50R500CE , IPP50R280CE , IPP50R190CE , IPP410N30N , 20N60 , IPP220N25NFD , IPP14N03LA , IPP147N03L , IPP120N20NFD , IPP110N20NA , IPP100N06S3L-04 , IPP100N06S3L-03 , IPP09N03LA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM25N15C | AGM2319EL | AGM2309EL | AGM218MAP | AGM216MNE | AGM216ME | AGM215TS | AGM215MNE | AGM210S | AGM210MAP | AGM210AP | AGM20T09LL | AGM20T09C | AGM20P30AP1 | AGM20P30AP | AGM312D
Popular searches
mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor


