Справочник MOSFET. IPP25N06S3-25

 

IPP25N06S3-25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP25N06S3-25
   Маркировка: 3N0625
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 283 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0248 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для IPP25N06S3-25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP25N06S3-25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  infineon
 ipp25n06s3-25.pdf pdf_icon

IPP25N06S3-25

IPB25N06S3-25IPI25N06S3-25, IPP25N06S3-25OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDSR (SMD version) 24.8mDS(on),maxI 25 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanch

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQD5N50CTM | FMI05N50E

 

 
Back to Top

 


 
.