IPI65R280E6 Todos los transistores

 

IPI65R280E6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPI65R280E6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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IPI65R280E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2033K  infineon
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IPI65R280E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6650V CoolMOS E6 Power TransistorIPx65R280E6 Data SheetRev. 2.0, 2010-04-26Final Industrial & Multimarket650V CoolMOS E6 Power Transistor IPA65R280E6, IPB65R280E6IPI65R280E6, IPP65R280E6IPW65R280E61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed accordi

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
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IPI65R280E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI65R280E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOLUTE MAXIMUM RAT

 5.1. Size:1337K  infineon
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IPI65R280E6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/

 5.2. Size:2104K  infineon
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IPI65R280E6

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History: NCEP090N20D | NCEP045N85G | IPL65R130C7 | JFFM7N90C | HSCB3010 | RCD060N25 | JFPC18N60CI

 

 
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