Справочник MOSFET. IPI65R280E6

 

IPI65R280E6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPI65R280E6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 60 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для IPI65R280E6

 

 

IPI65R280E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2033K  infineon
ipb65r280e6 ipi65r280e6.pdf

IPI65R280E6
IPI65R280E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6650V CoolMOS E6 Power TransistorIPx65R280E6 Data SheetRev. 2.0, 2010-04-26Final Industrial & Multimarket650V CoolMOS E6 Power Transistor IPA65R280E6, IPB65R280E6IPI65R280E6, IPP65R280E6IPW65R280E61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed accordi

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
ipi65r280e6.pdf

IPI65R280E6
IPI65R280E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI65R280E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOLUTE MAXIMUM RAT

 5.1. Size:1337K  infineon
ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf

IPI65R280E6
IPI65R280E6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/

 5.2. Size:2104K  infineon
ipi65r280c6.pdf

IPI65R280E6
IPI65R280E6

MOSFET+

 5.3. Size:286K  inchange semiconductor
ipi65r280c6.pdf

IPI65R280E6
IPI65R280E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI65R280C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top