IPI09N03LA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI09N03LA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm

Encapsulados: TO-262

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IPI09N03LA datasheet

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IPI09N03LA

IPB09N03LA IPI09N03LA, IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.9 m DS(on),max N-channel I 50 A D Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1 Superior thermal resistance 1

Otros transistores... IPI65R190CFD, IPI65R190C6, IPI65R150CFD, IPI65R110CFD, IPI65R099C6, IPI14N03LA, IPI12CN10NG, IPI100N06S3L-04, IRLB3034, IPI084N06L3G, IPI04N03LA, IPI04CN10N, IPI029N06N, IPI020N06N, IPF13N03LAG, IPF135N03LG, IPF050N03LG