Справочник MOSFET. IPI09N03LA

 

IPI09N03LA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPI09N03LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для IPI09N03LA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI09N03LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  infineon
 ipb09n03la ipi09n03la ipp09n03la.pdf pdf_icon

IPI09N03LA

IPB09N03LAIPI09N03LA, IPP09N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 8.9m DS(on),max N-channelI 50 AD Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1 Superior thermal resistance 1

Другие MOSFET... IPI65R190CFD , IPI65R190C6 , IPI65R150CFD , IPI65R110CFD , IPI65R099C6 , IPI14N03LA , IPI12CN10NG , IPI100N06S3L-04 , 60N06 , IPI084N06L3G , IPI04N03LA , IPI04CN10N , IPI029N06N , IPI020N06N , IPF13N03LAG , IPF135N03LG , IPF050N03LG .

History: SQP120N10-09 | FDP86363F085 | STU9N65M2 | WMM030N06HG4 | IXFK48N60Q3 | IRFS3507PBF

 

 
Back to Top

 


 
.