IPI09N03LA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPI09N03LA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IPI09N03LA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI09N03LA даташит

 ..1. Size:311K  infineon
 ipb09n03la ipi09n03la ipp09n03la.pdf pdf_icon

IPI09N03LA

IPB09N03LA IPI09N03LA, IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.9 m DS(on),max N-channel I 50 A D Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1 Superior thermal resistance 1

Другие IGBT... IPI65R190CFD, IPI65R190C6, IPI65R150CFD, IPI65R110CFD, IPI65R099C6, IPI14N03LA, IPI12CN10NG, IPI100N06S3L-04, IRLB3034, IPI084N06L3G, IPI04N03LA, IPI04CN10N, IPI029N06N, IPI020N06N, IPF13N03LAG, IPF135N03LG, IPF050N03LG