IPDH4N03LAG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPDH4N03LAG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de IPDH4N03LAG MOSFET
IPDH4N03LAG Datasheet (PDF)
ipdh4n03lag.pdf

IPDH4N03LA G IPSH4N03LA GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD Version) 4.2mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 90 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C operating temperatu
Otros transistores... IPI04N03LA , IPI04CN10N , IPI029N06N , IPI020N06N , IPF13N03LAG , IPF135N03LG , IPF050N03LG , IPDH6N03LAG , AO4468 , IPD80R2K8CE , IPD80R1K4CE , IPD80R1K0CE , IPD65R950CFD , IPD65R950C6 , IPD65R660CFDA , IPD65R420CFDA , IPD65R420CFD .



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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