IPDH4N03LAG Todos los transistores

 

IPDH4N03LAG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPDH4N03LAG
   Código: H4N03LA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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IPDH4N03LAG Datasheet (PDF)

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IPDH4N03LAG

IPDH4N03LA G IPSH4N03LA GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD Version) 4.2mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 90 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C operating temperatu

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