IPDH4N03LAG Todos los transistores

 

IPDH4N03LAG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPDH4N03LAG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de IPDH4N03LAG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPDH4N03LAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  infineon
 ipdh4n03lag.pdf pdf_icon

IPDH4N03LAG

IPDH4N03LA G IPSH4N03LA GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD Version) 4.2mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 90 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C operating temperatu

Otros transistores... IPI04N03LA , IPI04CN10N , IPI029N06N , IPI020N06N , IPF13N03LAG , IPF135N03LG , IPF050N03LG , IPDH6N03LAG , AO4468 , IPD80R2K8CE , IPD80R1K4CE , IPD80R1K0CE , IPD65R950CFD , IPD65R950C6 , IPD65R660CFDA , IPD65R420CFDA , IPD65R420CFD .

History: BUZ272 | FDS8958A-F085 | NCEP055N60GU | FDMS3006SDC | WMS11P02TS | RCX120N20 | RD3L050SN

 

 
Back to Top

 


 
.