Справочник MOSFET. IPDH4N03LAG

 

IPDH4N03LAG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPDH4N03LAG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPDH4N03LAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  infineon
 ipdh4n03lag.pdf pdf_icon

IPDH4N03LAG

IPDH4N03LA G IPSH4N03LA GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD Version) 4.2mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 90 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C operating temperatu

Другие MOSFET... IPI04N03LA , IPI04CN10N , IPI029N06N , IPI020N06N , IPF13N03LAG , IPF135N03LG , IPF050N03LG , IPDH6N03LAG , AO3407 , IPD80R2K8CE , IPD80R1K4CE , IPD80R1K0CE , IPD65R950CFD , IPD65R950C6 , IPD65R660CFDA , IPD65R420CFDA , IPD65R420CFD .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.