IPDH4N03LAG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPDH4N03LAG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IPDH4N03LAG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPDH4N03LAG даташит

 ..1. Size:404K  infineon
 ipdh4n03lag.pdf pdf_icon

IPDH4N03LAG

IPDH4N03LA G IPSH4N03LA G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD Version) 4.2 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applications I 90 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 175 C operating temperatu

Другие IGBT... IPI04N03LA, IPI04CN10N, IPI029N06N, IPI020N06N, IPF13N03LAG, IPF135N03LG, IPF050N03LG, IPDH6N03LAG, 60N06, IPD80R2K8CE, IPD80R1K4CE, IPD80R1K0CE, IPD65R950CFD, IPD65R950C6, IPD65R660CFDA, IPD65R420CFDA, IPD65R420CFD