2N7272H1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N7272H1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 142(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 210(max) nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7272H1

2N7272H1 Datasheet (PDF)

7.1. Size:100K 1
2n7272h 2n7272d 2n7272r.pdf

8.1. Size:45K intersil
jansr2n7272.pdf

JANSR2N7272Formerly FRL130R4 8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Intersil Corporation,has designed a series of SECONDGENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dosenel and P-Channel enhancement types with ratings from100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as- Meets Pre

8.2. Size:177K no
2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604Bbe completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDINGMIL-PRF-19500/604A21 June 1999PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

Otros transistores... 2N7271H3 , 2N7271H4 , 2N7271R , 2N7271R1 , 2N7271R2 , 2N7271R3 , 2N7271R4 , 2N7272H , AO3407 , 2N7272H2 , 2N7272H3 , 2N7272H4 , 2N7272R , 2N7272R1 , 2N7272R2 , 2N7272R3 , 2N7272R4 .

Liste

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