2N7272H1 Todos los transistores

 

2N7272H1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7272H1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 142(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 210(max) nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF
 

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2N7272H1 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:100K  1
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2N7272H1

 8.1. Size:45K  intersil
 jansr2n7272.pdf pdf_icon

2N7272H1

JANSR2N7272Formerly FRL130R4 8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Intersil Corporation,has designed a series of SECONDGENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dosenel and P-Channel enhancement types with ratings from100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as- Meets Pre

 8.2. Size:177K  no
 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7272H1

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604Bbe completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDINGMIL-PRF-19500/604A21 June 1999PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

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History: HUF75344S3S | FDS9412 | CM1N60S

 

 
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