2N7272H1 - описание и поиск аналогов

 

2N7272H1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N7272H1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210(max) ns

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для 2N7272H1

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7272H1 даташит

 7.1. Size:100K  1
 2n7272h 2n7272d 2n7272r.pdf pdf_icon

2N7272H1

 8.1. Size:45K  intersil
 jansr2n7272.pdf pdf_icon

2N7272H1

JANSR2N7272 Formerly FRL130R4 8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Intersil Corporation,has designed a series of SECOND GENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dose nel and P-Channel enhancement types with ratings from 100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as - Meets Pre

 8.2. Size:177K  no
 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7272H1

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604B be completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/604A 21 June 1999 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N7271H3 , 2N7271H4 , 2N7271R , 2N7271R1 , 2N7271R2 , 2N7271R3 , 2N7271R4 , 2N7272H , AO4407A , 2N7272H2 , 2N7272H3 , 2N7272H4 , 2N7272R , 2N7272R1 , 2N7272R2 , 2N7272R3 , 2N7272R4 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.