IPD65R420CFDA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD65R420CFDA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD65R420CFDA

IPD65R420CFDA Datasheet (PDF)

..1. Size:1304K infineon
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCFDA Automotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPD65R420CFDA Data SheetRev. 2.1FinalAutomotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPD65R420CFDADPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered

2.1. Size:1675K infineon
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MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C D C lMO C D e n i t I x 4 C DD t eet e 4Rev. 2.6 in lPower Management & MultimarketIn ti l & M ltim ket C lMO C D e n i t I 4 C D I 4 C D I 4 C DI 4 C D I D 4 C D I I 4 C D O 47 D O 1 DescriptinC lMO i e l ti n te n l i lt e p eMO e i ne in t t e pej n ti n ) pin i

7.1. Size:1094K infineon
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IPD65R400CE, IPS65R400CEMOSFETDPAK IPAK SL650V CoolMOS CE Power TransistortabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE series combines the 13experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation.The resulting de

7.2. Size:242K inchange semiconductor
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Liste

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