IPD65R420CFDA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPD65R420CFDA
Маркировка: 65F420A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.42 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для IPD65R420CFDA
IPD65R420CFDA Datasheet (PDF)
ipd65r420cfd ipd65r420cfda.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCFDA Automotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPD65R420CFDA Data SheetRev. 2.1FinalAutomotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPD65R420CFDADPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered
ipw65r420cfd ipb65r420cfd ipp65r420cfd ipa65r420cfd ipd65r420cfd ipi65r420cfd.pdf
MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C D C lMO C D e n i t I x 4 C DD t eet e 4Rev. 2.6 in lPower Management & MultimarketIn ti l & M ltim ket C lMO C D e n i t I 4 C D I 4 C D I 4 C DI 4 C D I D 4 C D I I 4 C D O 47 D O 1 DescriptinC lMO i e l ti n te n l i lt e p eMO e i ne in t t e pej n ti n ) pin i
ipd65r400ce ips65r400ce.pdf
IPD65R400CE, IPS65R400CEMOSFETDPAK IPAK SL650V CoolMOS CE Power TransistortabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE series combines the 13experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation.The resulting de
ipd65r400ce.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R400CE,IIPD65R400CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.4Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
