IPB65R310CFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB65R310CFD 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
Encapsulados: TO-263
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IPB65R310CFD datasheet
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MOSFET + =L9D - PA;%'*H (>E4@ +@0=A8AB>@ "( ) "(" ) "( ) "(( ) IPA65R380C6 1 Descripti n !GGD+ - 1Y AK 9 J=NGDMLAGF9JQ L=;@FGDG?Q >GJ @A?@ NGDL9?= HGO=J + - 1$#2K
Otros transistores... IPD031N03L, IPD025N06N, IPD024N06N, IPB90R340C3, IPB80N06S3L-05, IPB65R660CFDA, IPB65R420CFD, IPB65R310CFDA, RFP50N06, IPB65R225C7, IPB65R190E6, IPB65R190CFDA, IPB65R190CFD, IPB65R190C7, IPB65R190C6, IPB65R150CFDA, IPB65R150CFD
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: HM7002DW | APG035N04Q | AGM15T13D | NDB7052 | NCE3018AS | FDB8442F085 | APT84M50B2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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