Справочник MOSFET. IPB65R310CFD

 

IPB65R310CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB65R310CFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IPB65R310CFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB65R310CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3925K  infineon
ipa65r310cfd ipb65r310cfd ipi65r310cfd ipp65r310cfd ipw65r310cfd ipw65r310cfd ipb65r310cfd ipp65r310cfd ipa65r310cfd ipi65r310cfd.pdfpdf_icon

IPB65R310CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPx65R310CFD Data SheetRev. 2.3FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPW65R310CFD , IPB65R310CFD , IPP65R310CFDIPA65R310CFD , IPI65R310CFDTO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
ipb65r310cfd.pdfpdf_icon

IPB65R310CFD

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R310CFDFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

 0.1. Size:1746K  infineon
ipb65r310cfda ipp65r310cfda.pdfpdf_icon

IPB65R310CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCFDA Automotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPx65R310CFDA Data SheetRev. 2.0FinalAutomotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPB65R310CFDA, IPP65R310CFDADPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) princi

 7.1. Size:2146K  infineon
ipb65r380c6.pdfpdf_icon

IPB65R310CFD

MOSFET+ =L9D - PA;%'*H (>E4@ +@0=A8AB>@ "( ) "(" ) "( ) "(( ) IPA65R380C61 Descriptin!GGD+ - 1Y AK 9 J=NGDMLAGF9JQ L=;@FGDG?Q >GJ @A?@ NGDL9?= HGO=J+ - 1$#2K

Другие MOSFET... IPD031N03L , IPD025N06N , IPD024N06N , IPB90R340C3 , IPB80N06S3L-05 , IPB65R660CFDA , IPB65R420CFD , IPB65R310CFDA , IRLZ44N , IPB65R225C7 , IPB65R190E6 , IPB65R190CFDA , IPB65R190CFD , IPB65R190C7 , IPB65R190C6 , IPB65R150CFDA , IPB65R150CFD .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | CHM5813ESQ2GP

 

 
Back to Top

 


 
.