IPB407N30N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB407N30N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 281 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0407 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IPB407N30N datasheet

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IPB407N30N

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM Power-Transistor, 300 V IPB407N30N Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM Power-Transistor, 300 V IPB407N30N D PAK 1 Description Features N-channel, normal level Fast Diode with reduced Q rr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resistance

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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IPB407N30N

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB407N30N FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

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