IPB407N30N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB407N30N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0407 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IPB407N30N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB407N30N даташит

 ..1. Size:1116K  infineon
 ipb407n30n.pdf pdf_icon

IPB407N30N

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM Power-Transistor, 300 V IPB407N30N Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM Power-Transistor, 300 V IPB407N30N D PAK 1 Description Features N-channel, normal level Fast Diode with reduced Q rr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resistance

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb407n30n.pdf pdf_icon

IPB407N30N

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB407N30N FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Другие IGBT... IPB65R125C7, IPB65R110CFDA, IPB65R110CFD, IPB65R099C6, IPB65R095C7, IPB65R065C7, IPB65R045C7, IPB45N06S3-16, SI2302, IPB14N03LA, IPB12CN10NG, IPB117N20NFD, IPB110N06LG, IPB107N20NA, IPB100N06S3-04, IPB09N03LAG, IPB09N03LA