Справочник MOSFET. IPB407N30N

 

IPB407N30N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB407N30N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0407 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IPB407N30N

 

 

IPB407N30N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  infineon
 ipb407n30n.pdf

IPB407N30N IPB407N30N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPB407N30NData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPB407N30NDPAK1 DescriptionFeatures N-channel, normal level Fast Diode with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resistance

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb407n30n.pdf

IPB407N30N IPB407N30N

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB407N30NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top