IPB407N30N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPB407N30N
Маркировка: 407N30N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 281 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0407 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IPB407N30N
IPB407N30N Datasheet (PDF)
ipb407n30n.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPB407N30NData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPB407N30NDPAK1 DescriptionFeatures N-channel, normal level Fast Diode with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resistance
ipb407n30n.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB407N30NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
