IPB407N30N - аналоги и даташиты транзистора

 

IPB407N30N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPB407N30N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0407 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IPB407N30N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB407N30N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  infineon
 ipb407n30n.pdf pdf_icon

IPB407N30N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPB407N30NData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 300 VIPB407N30NDPAK1 DescriptionFeatures N-channel, normal level Fast Diode with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resistance

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb407n30n.pdf pdf_icon

IPB407N30N

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB407N30NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... IPB65R125C7 , IPB65R110CFDA , IPB65R110CFD , IPB65R099C6 , IPB65R095C7 , IPB65R065C7 , IPB65R045C7 , IPB45N06S3-16 , SI2302 , IPB14N03LA , IPB12CN10NG , IPB117N20NFD , IPB110N06LG , IPB107N20NA , IPB100N06S3-04 , IPB09N03LAG , IPB09N03LA .

History: IXTP80N12T2 | IRF1104S | MTP2317N3 | MTP2303N3 | MTP2311M3 | FQD4P25TM | IPD33CN10NG

 

 
Back to Top

 


 
.