IPB110N06LG MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPB110N06LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB110N06LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IPB110N06LG datasheet

..1. Size:334K infineon
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IPB110N06L G IPP110N06L G OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 60 V DS For fast switching converters and sync. rectification R 11 m DS(on),max SMD version N-channel enhancement - logic level I 78 A D 175 C operating temperature Avalanche rated Pb-free lead plating, RoHS compliant Type IPB110N06L G IPP110N06L G Type Package Marking IPB1

..2. Size:740K infineon
ipb110n06lg ipp110n06lg.pdf pdf_icon

7.1. Size:991K infineon
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IPB110N20N3LF MOSFET D PAK OptiMOSTM 3 Linear FET, 200 V Features Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance R DS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Drain

7.2. Size:258K inchange semiconductor
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Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB110N20N3LF FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

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