IPB110N06LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB110N06LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IPB110N06LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB110N06LG даташит

 ..1. Size:334K  infineon
ipb110n06lg.pdfpdf_icon

IPB110N06LG

IPB110N06L G IPP110N06L G OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 60 V DS For fast switching converters and sync. rectification R 11 m DS(on),max SMD version N-channel enhancement - logic level I 78 A D 175 C operating temperature Avalanche rated Pb-free lead plating, RoHS compliant Type IPB110N06L G IPP110N06L G Type Package Marking IPB1

 ..2. Size:740K  infineon
ipb110n06lg ipp110n06lg.pdfpdf_icon

IPB110N06LG

 7.1. Size:991K  infineon
ipb110n20n3lf.pdfpdf_icon

IPB110N06LG

IPB110N20N3LF MOSFET D PAK OptiMOSTM 3 Linear FET, 200 V Features Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance R DS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Drain

 7.2. Size:258K  inchange semiconductor
ipb110n20n3lf.pdfpdf_icon

IPB110N06LG

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB110N20N3LF FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

Другие IGBT... IPB65R095C7, IPB65R065C7, IPB65R045C7, IPB45N06S3-16, IPB407N30N, IPB14N03LA, IPB12CN10NG, IPB117N20NFD, IRF520, IPB107N20NA, IPB100N06S3-04, IPB09N03LAG, IPB09N03LA, IPB085N06LG, IPB080N03L, IPB06N03LA, IPB065N10N3G