IPB042N10N3GE8187 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB042N10N3GE8187

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IPB042N10N3GE8187 datasheet

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IPB042N10N3GE8187

IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G IPP045N10N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D Q ' 381>>5?B=1

 2.1. Size:976K  infineon
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IPB042N10N3GE8187

IPB042N10N3 G MOSFET D PAK OptiMOS 3 Power-Transistor, 100 V Features N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synchronous rectifica

 2.2. Size:204K  inchange semiconductor
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IPB042N10N3GE8187

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB042N10N3G FEATURES With TO-263(D2PAK) packaging Ultra-fast body diode High speed switching Very low on-resistence Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

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