IPB042N10N3GE8187 Todos los transistores

 

IPB042N10N3GE8187 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB042N10N3GE8187
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IPB042N10N3GE8187 Datasheet (PDF)

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IPB042N10N3GE8187

IPB042N10N3 G IPI045N10N3 GIPP045N10N3 G3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1

 2.1. Size:976K  infineon
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IPB042N10N3GE8187

IPB042N10N3 GMOSFETDPAKOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VFeatures N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synchronous rectifica

 2.2. Size:204K  inchange semiconductor
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IPB042N10N3GE8187

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB042N10N3GFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery low on-resistenceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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History: 4N80L-TND-R

 

 
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