IPB042N10N3GE8187. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB042N10N3GE8187

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IPB042N10N3GE8187

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB042N10N3GE8187 даташит

 0.1. Size:746K  infineon
ipb042n10n3-g ipi045n10n3-g ipp045n10n3-g ipb042n10n3ge8187.pdfpdf_icon

IPB042N10N3GE8187

IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G IPP045N10N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D Q ' 381>>5?B=1

 2.1. Size:976K  infineon
ipb042n10n3g.pdfpdf_icon

IPB042N10N3GE8187

IPB042N10N3 G MOSFET D PAK OptiMOS 3 Power-Transistor, 100 V Features N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synchronous rectifica

 2.2. Size:204K  inchange semiconductor
ipb042n10n3g.pdfpdf_icon

IPB042N10N3GE8187

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB042N10N3G FEATURES With TO-263(D2PAK) packaging Ultra-fast body diode High speed switching Very low on-resistence Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Другие IGBT... IPB05N03LBG, IPB05N03LA, IPB057N06N, IPB055N03L, IPB04N03LAT, IPB04N03LA, IPB04CN10NG, IPB049N08N5, IRFB7545, IPB042N03L, IPB03N03LBG, IPB039N10N3GE8187, IPB034N03L, IPB031N08N5, IPB029N06N3GE8187, IPB027N10N5, IPB026N06N