IPB042N10N3GE8187. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPB042N10N3GE8187
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1210 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IPB042N10N3GE8187
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPB042N10N3GE8187 даташит
ipb042n10n3-g ipi045n10n3-g ipp045n10n3-g ipb042n10n3ge8187.pdf
IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G IPP045N10N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D Q ' 381>>5?B=1
ipb042n10n3g.pdf
IPB042N10N3 G MOSFET D PAK OptiMOS 3 Power-Transistor, 100 V Features N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synchronous rectifica
ipb042n10n3g.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB042N10N3G FEATURES With TO-263(D2PAK) packaging Ultra-fast body diode High speed switching Very low on-resistence Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
Другие IGBT... IPB05N03LBG, IPB05N03LA, IPB057N06N, IPB055N03L, IPB04N03LAT, IPB04N03LA, IPB04CN10NG, IPB049N08N5, IRFB7545, IPB042N03L, IPB03N03LBG, IPB039N10N3GE8187, IPB034N03L, IPB031N08N5, IPB029N06N3GE8187, IPB027N10N5, IPB026N06N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet


